上海2023年10月27日 /美通社/ — 瀾起科技宣布在業界率先試產DDR5第三子代寄存時鍾驅動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應用於DDR5 RDIMM內存模組，旨在進一步提升內存數據訪問的速度及穩定性，滿足新一代服務器平台對容量、帶寬、訪問延遲等內存性能的更高要求。
瀾起科技DDR5第三子代寄存時鍾驅動器
作為國際領先的內存接口芯片供應商，瀾起科技在DDR5內存接口技術上持續精進，不斷推進產品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達6400 MT/s的數據速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。
與DDR4世代的RCD產品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：「我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發和試產上均保持行業領先。瀾起將繼續與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務器大規模商用。」
英特爾內存與IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：「英特爾一直處於DDR5內存技術和生態系統發展的前沿，支持可靠和可擴展的行業標准。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內存接口芯片上取得了新進展，該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用，助力CPU釋放強勁性能。」
三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae先生表示：「三星一直致力於最新一代內存產品的研發和應用，以滿足數據密集型應用對內存容量和帶寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作，不斷完善DDR5內存產品標准，推進產品迭代和創新。」
除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數據緩沖器（DB）、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內存模組提供多種必不可少的功能和特性。
供貨信息
如需了解更多瀾起科技內存接口芯片及內存模組配套產品詳情，請訪問https://www.montage-tech.com/Memory_Interface。
上海2023年10月27日 /美通社/ — 瀾起科技宣布在業界率先試產DDR5第三子代寄存時鍾驅動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應用於DDR5 RDIMM內存模組，旨在進一步提升內存數據訪問的速度及穩定性，滿足新一代服務器平台對容量、帶寬、訪問延遲等內存性能的更高要求。
瀾起科技DDR5第三子代寄存時鍾驅動器
作為國際領先的內存接口芯片供應商，瀾起科技在DDR5內存接口技術上持續精進，不斷推進產品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達6400 MT/s的數據速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。
與DDR4世代的RCD產品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：「我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發和試產上均保持行業領先。瀾起將繼續與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務器大規模商用。」
英特爾內存與IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：「英特爾一直處於DDR5內存技術和生態系統發展的前沿，支持可靠和可擴展的行業標准。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內存接口芯片上取得了新進展，該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用，助力CPU釋放強勁性能。」
三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae先生表示：「三星一直致力於最新一代內存產品的研發和應用，以滿足數據密集型應用對內存容量和帶寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作，不斷完善DDR5內存產品標准，推進產品迭代和創新。」
除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數據緩沖器（DB）、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內存模組提供多種必不可少的功能和特性。
供貨信息
如需了解更多瀾起科技內存接口芯片及內存模組配套產品詳情，請訪問https://www.montage-tech.com/Memory_Interface。
上海2023年10月27日 /美通社/ — 瀾起科技宣布在業界率先試產DDR5第三子代寄存時鍾驅動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應用於DDR5 RDIMM內存模組，旨在進一步提升內存數據訪問的速度及穩定性，滿足新一代服務器平台對容量、帶寬、訪問延遲等內存性能的更高要求。
瀾起科技DDR5第三子代寄存時鍾驅動器
作為國際領先的內存接口芯片供應商，瀾起科技在DDR5內存接口技術上持續精進，不斷推進產品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達6400 MT/s的數據速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。
與DDR4世代的RCD產品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：「我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發和試產上均保持行業領先。瀾起將繼續與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務器大規模商用。」
英特爾內存與IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：「英特爾一直處於DDR5內存技術和生態系統發展的前沿，支持可靠和可擴展的行業標准。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內存接口芯片上取得了新進展，該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用，助力CPU釋放強勁性能。」
三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae先生表示：「三星一直致力於最新一代內存產品的研發和應用，以滿足數據密集型應用對內存容量和帶寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作，不斷完善DDR5內存產品標准，推進產品迭代和創新。」
除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數據緩沖器（DB）、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內存模組提供多種必不可少的功能和特性。
供貨信息
如需了解更多瀾起科技內存接口芯片及內存模組配套產品詳情，請訪問https://www.montage-tech.com/Memory_Interface。
上海2023年10月27日 /美通社/ — 瀾起科技宣布在業界率先試產DDR5第三子代寄存時鍾驅動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應用於DDR5 RDIMM內存模組，旨在進一步提升內存數據訪問的速度及穩定性，滿足新一代服務器平台對容量、帶寬、訪問延遲等內存性能的更高要求。
瀾起科技DDR5第三子代寄存時鍾驅動器
作為國際領先的內存接口芯片供應商，瀾起科技在DDR5內存接口技術上持續精進，不斷推進產品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達6400 MT/s的數據速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。
與DDR4世代的RCD產品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節電模式，功耗顯著降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。
瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：「我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發和試產上均保持行業領先。瀾起將繼續與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5服務器大規模商用。」
英特爾內存與IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：「英特爾一直處於DDR5內存技術和生態系統發展的前沿，支持可靠和可擴展的行業標准。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內存接口芯片上取得了新進展，該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用，助力CPU釋放強勁性能。」
三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae先生表示：「三星一直致力於最新一代內存產品的研發和應用，以滿足數據密集型應用對內存容量和帶寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作，不斷完善DDR5內存產品標准，推進產品迭代和創新。」
除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數據緩沖器（DB）、串行檢測集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內存模組提供多種必不可少的功能和特性。
供貨信息
如需了解更多瀾起科技內存接口芯片及內存模組配套產品詳情，請訪問https://www.montage-tech.com/Memory_Interface。
