蘇州2024年5月23日 /美通社/ — 2024年5月22日，由雅時國際（ACT International）主辦的2024半導體先進技術創新發展和機遇大會（SAT Con）於蘇州召開，會議將針對化合物半導體制造與封裝等話題展開產業高端對話。三安集成作為射頻前端芯片研發、制造和服務平台，具備豐富的濾波器芯片制造與封裝經驗，受邀與會並做主題報告。
現代通信技術的進步是推動半導體先進技術創新發展的重要推力之一。國際通信協議Release-18即將凍結，對於5G和5.5G的定義也愈發明確，在年初召開的MWC Barcelona大會上，各大運營商、設備商和終端品牌均展示了各自在5G/5.5G領域的戰略布局，對射頻前端架構和射頻前端芯片和性能提出了更高的要求。
根據國際咨詢機構Yole的報告數據，在智能手機總數增長保守的情況下，射頻前端芯片的市場容量將在2028年增長到近人民幣200億元，其中增長的重要助力即是射頻前端模組。高端旗艦機型的射頻前端模組要求在多元而復雜的場景下保持穩定通信；而入門機型則要求剝離冗余性能，采用更具性價比、更精准的解決方案。三安集成對此表示，在模組化的大趨勢中，存在著往兩級分化的發展方向，三安集成所提供的射頻前端整合解決方案能力，能夠全面覆蓋客戶在不同應用場景下的需求。
三安集成的射頻前端整合解決方案主要由砷化鎵/氮化鎵功放代工服務、濾波器產品，以及封測代工組成，在本次會議上針對濾波器晶圓制造和封裝制程做了詳細展開介紹。三安集成根據客戶和市場需求選擇了聲表面濾波器（SAW）的技術路線並投入研發，在開發壓電材料和鍵合襯底的基礎上，發展了高性能的溫度補償型濾波器（TC-SAW），在優化生產結構的同時，產品也能提供優異的插損和滿足5G/5.5G應用的功率耐受表現。在封裝制程方面，三安集成持續投入先進封裝的開發，目前已推出小型化濾波器(Tx/Rx)和雙工器(DPX)平台，晶圓級封裝(WLP)濾波器芯片也在客戶射頻前端模組端量產出貨。
三安集成出席半導體先進技術大會展示鍵合濾波器晶圓及封裝制程
三安集成市場產品經理張昊廷表示，三安集成將借助材料端的研發經驗，持續發揮垂直整合優勢，提供端到端的解決方案能力；通過大規模制造的效應，幫助客戶快速響應市場需求，迭代產品，占領市場先機。
同場會議中，湖南三安半導體作為碳化硅垂直整合制造服務平台，為在場觀眾呈現「SiC功率器件的關鍵技術與標准建設」專題報告，介紹了碳化硅功率芯片的制程及行業標准定義。
關於三安集成 |
三安集成成立於2014年，致力於成為世界級射頻前端芯片研發、制造和服務公司，提供砷化鎵、氮化鎵射頻功放代工服務，濾波器產品，以及封測代工服務。主要服務智能手機、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應用領域。
蘇州2024年5月23日 /美通社/ — 2024年5月22日，由雅時國際（ACT International）主辦的2024半導體先進技術創新發展和機遇大會（SAT Con）於蘇州召開，會議將針對化合物半導體制造與封裝等話題展開產業高端對話。三安集成作為射頻前端芯片研發、制造和服務平台，具備豐富的濾波器芯片制造與封裝經驗，受邀與會並做主題報告。
現代通信技術的進步是推動半導體先進技術創新發展的重要推力之一。國際通信協議Release-18即將凍結，對於5G和5.5G的定義也愈發明確，在年初召開的MWC Barcelona大會上，各大運營商、設備商和終端品牌均展示了各自在5G/5.5G領域的戰略布局，對射頻前端架構和射頻前端芯片和性能提出了更高的要求。
根據國際咨詢機構Yole的報告數據，在智能手機總數增長保守的情況下，射頻前端芯片的市場容量將在2028年增長到近人民幣200億元，其中增長的重要助力即是射頻前端模組。高端旗艦機型的射頻前端模組要求在多元而復雜的場景下保持穩定通信；而入門機型則要求剝離冗余性能，采用更具性價比、更精准的解決方案。三安集成對此表示，在模組化的大趨勢中，存在著往兩級分化的發展方向，三安集成所提供的射頻前端整合解決方案能力，能夠全面覆蓋客戶在不同應用場景下的需求。
三安集成的射頻前端整合解決方案主要由砷化鎵/氮化鎵功放代工服務、濾波器產品，以及封測代工組成，在本次會議上針對濾波器晶圓制造和封裝制程做了詳細展開介紹。三安集成根據客戶和市場需求選擇了聲表面濾波器（SAW）的技術路線並投入研發，在開發壓電材料和鍵合襯底的基礎上，發展了高性能的溫度補償型濾波器（TC-SAW），在優化生產結構的同時，產品也能提供優異的插損和滿足5G/5.5G應用的功率耐受表現。在封裝制程方面，三安集成持續投入先進封裝的開發，目前已推出小型化濾波器(Tx/Rx)和雙工器(DPX)平台，晶圓級封裝(WLP)濾波器芯片也在客戶射頻前端模組端量產出貨。
三安集成出席半導體先進技術大會展示鍵合濾波器晶圓及封裝制程
三安集成市場產品經理張昊廷表示，三安集成將借助材料端的研發經驗，持續發揮垂直整合優勢，提供端到端的解決方案能力；通過大規模制造的效應，幫助客戶快速響應市場需求，迭代產品，占領市場先機。
同場會議中，湖南三安半導體作為碳化硅垂直整合制造服務平台，為在場觀眾呈現「SiC功率器件的關鍵技術與標准建設」專題報告，介紹了碳化硅功率芯片的制程及行業標准定義。
關於三安集成 |
三安集成成立於2014年，致力於成為世界級射頻前端芯片研發、制造和服務公司，提供砷化鎵、氮化鎵射頻功放代工服務，濾波器產品，以及封測代工服務。主要服務智能手機、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應用領域。
蘇州2024年5月23日 /美通社/ — 2024年5月22日，由雅時國際（ACT International）主辦的2024半導體先進技術創新發展和機遇大會（SAT Con）於蘇州召開，會議將針對化合物半導體制造與封裝等話題展開產業高端對話。三安集成作為射頻前端芯片研發、制造和服務平台，具備豐富的濾波器芯片制造與封裝經驗，受邀與會並做主題報告。
現代通信技術的進步是推動半導體先進技術創新發展的重要推力之一。國際通信協議Release-18即將凍結，對於5G和5.5G的定義也愈發明確，在年初召開的MWC Barcelona大會上，各大運營商、設備商和終端品牌均展示了各自在5G/5.5G領域的戰略布局，對射頻前端架構和射頻前端芯片和性能提出了更高的要求。
根據國際咨詢機構Yole的報告數據，在智能手機總數增長保守的情況下，射頻前端芯片的市場容量將在2028年增長到近人民幣200億元，其中增長的重要助力即是射頻前端模組。高端旗艦機型的射頻前端模組要求在多元而復雜的場景下保持穩定通信；而入門機型則要求剝離冗余性能，采用更具性價比、更精准的解決方案。三安集成對此表示，在模組化的大趨勢中，存在著往兩級分化的發展方向，三安集成所提供的射頻前端整合解決方案能力，能夠全面覆蓋客戶在不同應用場景下的需求。
三安集成的射頻前端整合解決方案主要由砷化鎵/氮化鎵功放代工服務、濾波器產品，以及封測代工組成，在本次會議上針對濾波器晶圓制造和封裝制程做了詳細展開介紹。三安集成根據客戶和市場需求選擇了聲表面濾波器（SAW）的技術路線並投入研發，在開發壓電材料和鍵合襯底的基礎上，發展了高性能的溫度補償型濾波器（TC-SAW），在優化生產結構的同時，產品也能提供優異的插損和滿足5G/5.5G應用的功率耐受表現。在封裝制程方面，三安集成持續投入先進封裝的開發，目前已推出小型化濾波器(Tx/Rx)和雙工器(DPX)平台，晶圓級封裝(WLP)濾波器芯片也在客戶射頻前端模組端量產出貨。
三安集成出席半導體先進技術大會展示鍵合濾波器晶圓及封裝制程
三安集成市場產品經理張昊廷表示，三安集成將借助材料端的研發經驗，持續發揮垂直整合優勢，提供端到端的解決方案能力；通過大規模制造的效應，幫助客戶快速響應市場需求，迭代產品，占領市場先機。
同場會議中，湖南三安半導體作為碳化硅垂直整合制造服務平台，為在場觀眾呈現「SiC功率器件的關鍵技術與標准建設」專題報告，介紹了碳化硅功率芯片的制程及行業標准定義。
關於三安集成 |
三安集成成立於2014年，致力於成為世界級射頻前端芯片研發、制造和服務公司，提供砷化鎵、氮化鎵射頻功放代工服務，濾波器產品，以及封測代工服務。主要服務智能手機、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應用領域。
蘇州2024年5月23日 /美通社/ — 2024年5月22日，由雅時國際（ACT International）主辦的2024半導體先進技術創新發展和機遇大會（SAT Con）於蘇州召開，會議將針對化合物半導體制造與封裝等話題展開產業高端對話。三安集成作為射頻前端芯片研發、制造和服務平台，具備豐富的濾波器芯片制造與封裝經驗，受邀與會並做主題報告。
現代通信技術的進步是推動半導體先進技術創新發展的重要推力之一。國際通信協議Release-18即將凍結，對於5G和5.5G的定義也愈發明確，在年初召開的MWC Barcelona大會上，各大運營商、設備商和終端品牌均展示了各自在5G/5.5G領域的戰略布局，對射頻前端架構和射頻前端芯片和性能提出了更高的要求。
根據國際咨詢機構Yole的報告數據，在智能手機總數增長保守的情況下，射頻前端芯片的市場容量將在2028年增長到近人民幣200億元，其中增長的重要助力即是射頻前端模組。高端旗艦機型的射頻前端模組要求在多元而復雜的場景下保持穩定通信；而入門機型則要求剝離冗余性能，采用更具性價比、更精准的解決方案。三安集成對此表示，在模組化的大趨勢中，存在著往兩級分化的發展方向，三安集成所提供的射頻前端整合解決方案能力，能夠全面覆蓋客戶在不同應用場景下的需求。
三安集成的射頻前端整合解決方案主要由砷化鎵/氮化鎵功放代工服務、濾波器產品，以及封測代工組成，在本次會議上針對濾波器晶圓制造和封裝制程做了詳細展開介紹。三安集成根據客戶和市場需求選擇了聲表面濾波器（SAW）的技術路線並投入研發，在開發壓電材料和鍵合襯底的基礎上，發展了高性能的溫度補償型濾波器（TC-SAW），在優化生產結構的同時，產品也能提供優異的插損和滿足5G/5.5G應用的功率耐受表現。在封裝制程方面，三安集成持續投入先進封裝的開發，目前已推出小型化濾波器(Tx/Rx)和雙工器(DPX)平台，晶圓級封裝(WLP)濾波器芯片也在客戶射頻前端模組端量產出貨。
三安集成出席半導體先進技術大會展示鍵合濾波器晶圓及封裝制程
三安集成市場產品經理張昊廷表示，三安集成將借助材料端的研發經驗，持續發揮垂直整合優勢，提供端到端的解決方案能力；通過大規模制造的效應，幫助客戶快速響應市場需求，迭代產品，占領市場先機。
同場會議中，湖南三安半導體作為碳化硅垂直整合制造服務平台，為在場觀眾呈現「SiC功率器件的關鍵技術與標准建設」專題報告，介紹了碳化硅功率芯片的制程及行業標准定義。
關於三安集成 |
三安集成成立於2014年，致力於成為世界級射頻前端芯片研發、制造和服務公司，提供砷化鎵、氮化鎵射頻功放代工服務，濾波器產品，以及封測代工服務。主要服務智能手機、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應用領域。
