中國深圳2026年6月1日 /美通社/ — 隨着2026年台北國際電腦展(COMPUTEX Taipei)盛大開幕，宏芯宇順應AI（人工智能）終端爆發所驅動的對高速、穩定、高可靠存儲的強勁需求，正式發布全新自主研發的UFS 2.2控制器HG2325及配套嵌入式存儲解決方案。同時，該公司還展示涵蓋嵌入式存儲、SSD（固態硬盤）、DRAM（動態隨機存取存儲器）內存模組及便攜式存儲在內的全系列核心產品陣容，賦能AIoT（智能物聯網）、智能終端及汽車電子等領域的AI應用。
HG2325控制器嚴格依照UFS 2.2標準設計，採用22nm製程工藝製造，並搭載4KB LDPC（低密度奇偶校驗碼）硬件糾錯技術，以提供穩定、安全的數據存儲。該控制器兼容主流TLC/QLC 3D NAND閃存，支持高達1600MT/s的閃存I/O速率及最高1TB的存儲容量。芯片內置大容量SRAM（靜態隨機存取存儲器）高速緩存，確保低延遲、高穩定性的讀寫性能。其順序讀寫速度超過1000MB/s，並具備出色的4K隨機讀寫性能。
搭載全新發布的HG2325 UFS 2.2控制器的UFS存儲模塊，兼容高通(Qualcomm)、聯發科(MediaTek)及紫光展銳等主流SoC（片上系統）平台，性能表現卓越。該模塊支持4KB LDPC糾錯及SRAM（靜態隨機存取存儲器）ECC（錯誤校正碼）功能，可以有效防止數據損壞，降低終端設備出現黑屏或死機的風險。在512GB容量下，其順序讀取和寫入速度分別達到1060MB/s和975MB/s，精準滿足AI終端對大容量、高性能存儲的嚴苛需求，為終端設備提供可靠支持。
宏芯宇依託自主研發的控制器、固件算法及存儲驗證系統等核心技術，構建了覆蓋消費級、企業級及車規級存儲的全場景產品矩陣。該公司實現了從控制器研發、閃存適配、固件開發到模組封裝測試的全鏈路自主可控，為全球AIoT、智能硬件、汽車電子及邊緣計算客戶提供定製化存儲解決方案。
在台北國際電腦展上，宏芯宇將以創新存儲技術助力AI生態系統發展，攜手全球產業夥伴共同探索智能存儲新機遇。我們誠摯邀請您蒞臨我們的展位（2號館R1320a）洽談合作、交流指導！
宏芯宇簡介
宏芯宇是一家專註於存儲產品研發、製造、驗證及銷售的高科技企業。該公司總部位於中國深圳，擁有超過1,400名員工，其中60%為研發專業人員。該公司為全球客戶提供高端、靈活、高效的全棧定製化存儲服務。
垂詢詳情，
請訪問：https://www.hosinglobal.com/
發送電郵至[email protected]
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HG2325控制器嚴格依照UFS 2.2標準設計，採用22nm製程工藝製造，並搭載4KB LDPC（低密度奇偶校驗碼）硬件糾錯技術，以提供穩定、安全的數據存儲。該控制器兼容主流TLC/QLC 3D NAND閃存，支持高達1600MT/s的閃存I/O速率及最高1TB的存儲容量。芯片內置大容量SRAM（靜態隨機存取存儲器）高速緩存，確保低延遲、高穩定性的讀寫性能。其順序讀寫速度超過1000MB/s，並具備出色的4K隨機讀寫性能。
搭載全新發布的HG2325 UFS 2.2控制器的UFS存儲模塊，兼容高通(Qualcomm)、聯發科(MediaTek)及紫光展銳等主流SoC（片上系統）平台，性能表現卓越。該模塊支持4KB LDPC糾錯及SRAM（靜態隨機存取存儲器）ECC（錯誤校正碼）功能，可以有效防止數據損壞，降低終端設備出現黑屏或死機的風險。在512GB容量下，其順序讀取和寫入速度分別達到1060MB/s和975MB/s，精準滿足AI終端對大容量、高性能存儲的嚴苛需求，為終端設備提供可靠支持。
宏芯宇依託自主研發的控制器、固件算法及存儲驗證系統等核心技術，構建了覆蓋消費級、企業級及車規級存儲的全場景產品矩陣。該公司實現了從控制器研發、閃存適配、固件開發到模組封裝測試的全鏈路自主可控，為全球AIoT、智能硬件、汽車電子及邊緣計算客戶提供定製化存儲解決方案。
在台北國際電腦展上，宏芯宇將以創新存儲技術助力AI生態系統發展，攜手全球產業夥伴共同探索智能存儲新機遇。我們誠摯邀請您蒞臨我們的展位（2號館R1320a）洽談合作、交流指導！
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宏芯宇是一家專註於存儲產品研發、製造、驗證及銷售的高科技企業。該公司總部位於中國深圳，擁有超過1,400名員工，其中60%為研發專業人員。該公司為全球客戶提供高端、靈活、高效的全棧定製化存儲服務。
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HG2325控制器嚴格依照UFS 2.2標準設計，採用22nm製程工藝製造，並搭載4KB LDPC（低密度奇偶校驗碼）硬件糾錯技術，以提供穩定、安全的數據存儲。該控制器兼容主流TLC/QLC 3D NAND閃存，支持高達1600MT/s的閃存I/O速率及最高1TB的存儲容量。芯片內置大容量SRAM（靜態隨機存取存儲器）高速緩存，確保低延遲、高穩定性的讀寫性能。其順序讀寫速度超過1000MB/s，並具備出色的4K隨機讀寫性能。
搭載全新發布的HG2325 UFS 2.2控制器的UFS存儲模塊，兼容高通(Qualcomm)、聯發科(MediaTek)及紫光展銳等主流SoC（片上系統）平台，性能表現卓越。該模塊支持4KB LDPC糾錯及SRAM（靜態隨機存取存儲器）ECC（錯誤校正碼）功能，可以有效防止數據損壞，降低終端設備出現黑屏或死機的風險。在512GB容量下，其順序讀取和寫入速度分別達到1060MB/s和975MB/s，精準滿足AI終端對大容量、高性能存儲的嚴苛需求，為終端設備提供可靠支持。
宏芯宇依託自主研發的控制器、固件算法及存儲驗證系統等核心技術，構建了覆蓋消費級、企業級及車規級存儲的全場景產品矩陣。該公司實現了從控制器研發、閃存適配、固件開發到模組封裝測試的全鏈路自主可控，為全球AIoT、智能硬件、汽車電子及邊緣計算客戶提供定製化存儲解決方案。
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HG2325控制器嚴格依照UFS 2.2標準設計，採用22nm製程工藝製造，並搭載4KB LDPC（低密度奇偶校驗碼）硬件糾錯技術，以提供穩定、安全的數據存儲。該控制器兼容主流TLC/QLC 3D NAND閃存，支持高達1600MT/s的閃存I/O速率及最高1TB的存儲容量。芯片內置大容量SRAM（靜態隨機存取存儲器）高速緩存，確保低延遲、高穩定性的讀寫性能。其順序讀寫速度超過1000MB/s，並具備出色的4K隨機讀寫性能。
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