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瀾起科技成功送樣DDR5第二子代MRCD和MDB套片

2025-01-24
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第二子代MRCD和MDB最高支持12800MT/s速率,較第一子代產品提升45%

上海2025年1月24日 /美通社/ — 瀾起科技今日宣布,其最新研發的第二子代多路復用寄存時鍾驅動器(MRCD)和第二子代多路復用數據緩沖器(MDB)套片已成功向全球主要內存廠商送樣。該套片專為DDR5多路復用雙列直插內存模組(MRDIMM)而設計,最高支持12800 MT/s傳輸速率,旨在為下一代計算平台提供卓越的內存性能,滿足高性能計算和人工智能等應用場景對內存帶寬的迫切需求。

瀾起科技第二子代MRCD和MDB套片

隨著人工智能和大數據分析等應用快速發展,處理器內核數量日益增多,對內存帶寬的需求急劇增長。為應對這一挑戰,一種高帶寬新型內存模組MRDIMM應運而生。瀾起科技創新研發的MRCD和MDB,是應用於MRDIMM內存模組的關鍵接口芯片,支持「1+10」內存緩沖架構,即一根MRDIMM模組配備一顆MRCD芯片和十顆MDB芯片。

MRCD芯片負責緩沖和中繼來自內存控制器的地址、命令、時鍾和控制信號,MDB芯片則負責緩沖和中繼來自內存控制器或DRAM內存顆粒的數據信號。通過采用MRCD和MDB套片,並結合雙倍數據傳輸和時分復用技術,MRDIMM能在標准速率下同時跨兩個陣列進行數據傳輸,從而實現雙倍的數據傳輸速率。

作為全球內存接口芯片行業的領跑者,瀾起科技量產的第一子代MRCD和MDB套片(支持數據速率8800 MT/s),近期已獲全球主要內存廠商規模采購。此次公司推出的第二子代MRCD和MDB工程樣片,最高支持12800 MT/s的數據速率,相較第一子代產品提升約45%。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示:「隨著人工智能和其他嚴苛工作負載對內存性能的要求日益提升,數據中心內存不斷向更大容量和更高帶寬方向發展。瀾起科技憑借深厚的技術積累和前瞻性布局,成功量產DDR5第一子代MRCD和MDB套片,並迅速迭代推出第二子代MRCD和MDB。這不僅為DDR5內存技術的未來發展注入了新的動能,也再次鞏固了我們在全球內存接口領域的領先地位。」

除了MRCD、MDB芯片以外,瀾起科技還提供包括RCD 、DB、CKD、SPD Hub、PMIC、TS在內的全方位內存接口與模組配套芯片解決方案。其中,公司推出的DDR5第五子代RCD芯片,已於2024年第四季度送樣。瀾起科技致力於提供一站式內存接口產品和技術支持,全面滿足客戶多樣化的應用需求。如需了解更多瀾起科技內存接口產品詳情,請訪問https://www.montage-tech.com/cn/Memory_Interface。

 

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上海2025年1月24日 /美通社/ — 瀾起科技今日宣布,其最新研發的第二子代多路復用寄存時鍾驅動器(MRCD)和第二子代多路復用數據緩沖器(MDB)套片已成功向全球主要內存廠商送樣。該套片專為DDR5多路復用雙列直插內存模組(MRDIMM)而設計,最高支持12800 MT/s傳輸速率,旨在為下一代計算平台提供卓越的內存性能,滿足高性能計算和人工智能等應用場景對內存帶寬的迫切需求。

瀾起科技第二子代MRCD和MDB套片

隨著人工智能和大數據分析等應用快速發展,處理器內核數量日益增多,對內存帶寬的需求急劇增長。為應對這一挑戰,一種高帶寬新型內存模組MRDIMM應運而生。瀾起科技創新研發的MRCD和MDB,是應用於MRDIMM內存模組的關鍵接口芯片,支持「1+10」內存緩沖架構,即一根MRDIMM模組配備一顆MRCD芯片和十顆MDB芯片。

MRCD芯片負責緩沖和中繼來自內存控制器的地址、命令、時鍾和控制信號,MDB芯片則負責緩沖和中繼來自內存控制器或DRAM內存顆粒的數據信號。通過采用MRCD和MDB套片,並結合雙倍數據傳輸和時分復用技術,MRDIMM能在標准速率下同時跨兩個陣列進行數據傳輸,從而實現雙倍的數據傳輸速率。

作為全球內存接口芯片行業的領跑者,瀾起科技量產的第一子代MRCD和MDB套片(支持數據速率8800 MT/s),近期已獲全球主要內存廠商規模采購。此次公司推出的第二子代MRCD和MDB工程樣片,最高支持12800 MT/s的數據速率,相較第一子代產品提升約45%。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示:「隨著人工智能和其他嚴苛工作負載對內存性能的要求日益提升,數據中心內存不斷向更大容量和更高帶寬方向發展。瀾起科技憑借深厚的技術積累和前瞻性布局,成功量產DDR5第一子代MRCD和MDB套片,並迅速迭代推出第二子代MRCD和MDB。這不僅為DDR5內存技術的未來發展注入了新的動能,也再次鞏固了我們在全球內存接口領域的領先地位。」

除了MRCD、MDB芯片以外,瀾起科技還提供包括RCD 、DB、CKD、SPD Hub、PMIC、TS在內的全方位內存接口與模組配套芯片解決方案。其中,公司推出的DDR5第五子代RCD芯片,已於2024年第四季度送樣。瀾起科技致力於提供一站式內存接口產品和技術支持,全面滿足客戶多樣化的應用需求。如需了解更多瀾起科技內存接口產品詳情,請訪問https://www.montage-tech.com/cn/Memory_Interface。

 

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瀾起科技第二子代MRCD和MDB套片

隨著人工智能和大數據分析等應用快速發展,處理器內核數量日益增多,對內存帶寬的需求急劇增長。為應對這一挑戰,一種高帶寬新型內存模組MRDIMM應運而生。瀾起科技創新研發的MRCD和MDB,是應用於MRDIMM內存模組的關鍵接口芯片,支持「1+10」內存緩沖架構,即一根MRDIMM模組配備一顆MRCD芯片和十顆MDB芯片。

MRCD芯片負責緩沖和中繼來自內存控制器的地址、命令、時鍾和控制信號,MDB芯片則負責緩沖和中繼來自內存控制器或DRAM內存顆粒的數據信號。通過采用MRCD和MDB套片,並結合雙倍數據傳輸和時分復用技術,MRDIMM能在標准速率下同時跨兩個陣列進行數據傳輸,從而實現雙倍的數據傳輸速率。

作為全球內存接口芯片行業的領跑者,瀾起科技量產的第一子代MRCD和MDB套片(支持數據速率8800 MT/s),近期已獲全球主要內存廠商規模采購。此次公司推出的第二子代MRCD和MDB工程樣片,最高支持12800 MT/s的數據速率,相較第一子代產品提升約45%。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示:「隨著人工智能和其他嚴苛工作負載對內存性能的要求日益提升,數據中心內存不斷向更大容量和更高帶寬方向發展。瀾起科技憑借深厚的技術積累和前瞻性布局,成功量產DDR5第一子代MRCD和MDB套片,並迅速迭代推出第二子代MRCD和MDB。這不僅為DDR5內存技術的未來發展注入了新的動能,也再次鞏固了我們在全球內存接口領域的領先地位。」

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